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    2. 漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

    650

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    300

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    360

    最大漏极电流Id(on)(A)：

    11

    驱动（dòng）电压(V)：

    10

    通（tōng）道（dào）极性：

    N沟道

    封装/温（wēn）度(℃)：

    TO-220-3/-55~125

    描述（shù）：

    650V，360mΩ，11A，N沟（gōu）道基于超级（jí）结技术的（de）功率MOSFET



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