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产品（pǐn）中心

功率器件SJ-MOSFET产（chǎn）品优势及应用点击查看选型表

SJ-MOSFET产品优势

晶圆工艺: 采用2.5代深槽（ Deep-Trench ）超结工艺，更少的光罩层（céng）数（shù），生产周期更短，更具成本优势（shì）
低内阻: 特殊（shū）的超（chāo）结结构让高压（yā）超结MOS内阻（zǔ）在（zài）同样面积情况（kuàng）下降（jiàng）低到（dào）VDMOS的1/3-1/5
更（gèng）高效率: 较高的轻载，满载效率（lǜ），超低的导（dǎo）通内阻，有效的降低导通、开（kāi）关损耗
低温升（shēng）: 较低（dī）的功耗，有效的（de）降低电源整体的工（gōng）作温度，延长电源的使用寿（shòu）命（mìng）
易用性: 使用过程中简单易用（yòng），驱动电流需求小，对新（xīn）一代高速开关电源提（tí）供有力的（de）支持
应用范围广（guǎng）: 适宜于对系（xì）统（tǒng）效率（lǜ）有更高要（yào）求的照明应用、各类（lèi）电源、适配器及智能手机、平板电脑充电器中，以及（jí）大（dà）功率充电桩， LED电源、通讯、服务器（qì）电源等

SJ-MOSFET产品应用