亿德体育(中国)体育官方网站



    2. 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

    650

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    70

    导（dǎo）通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    74

    最大漏极电流Id(on)(A)：

    47

    通道（dào）极（jí）性（xìng）：

    N沟道

    封装/温度(℃)：

    TO-220F-3L/-55~125

    描（miáo）述：

    650V,74mΩ,47A,N沟道基（jī）于超（chāo）级结技术的功率MOSFET



    亿德体育(中国)体育官方网站

    亿德体育(中国)体育官方网站