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    2. 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

    650

    导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    70

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    74

    最大漏极电流Id(on)(A)：

    47

    通（tōng）道极（jí）性：

    N沟道（dào）

    封装/温（wēn）度(℃)：

    TO-263-2L(D2PAK)/-55~125

    描述：

    650V,74mΩ,47A,N沟（gōu）道（dào）基于超（chāo）级结（jié）技术的功率MOSFET



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