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    2. 漏源电压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

    650

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    700

    导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    850

    最（zuì）大漏极电流Id(on)(A)：

    5

    驱动电压(V)：

    10

    通道极（jí）性：

    N沟道

    封装/温度（dù）(℃)：

    DPAK-3/-55~125

    描述：

    650V,850mΩ,5A,N沟（gōu）道基于超级结技术的功率MOSFET


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